- 中文名
- MESFET
- 外文名
- Metal-Semiconductor FET
- 全 称
- 金属-半导体场效应晶体管
- 优 点
- 微波、高速、大功率和低噪音等
MESFET是一种由Schott雅提劝喇ky势榆狱垒栅极构成的场效应晶体管。它与p-n结型栅场效应晶体管相比，只是用金属-半导体接触势垒代替了p-n结栅，则热稳定性较差、漏电流较大、逻辑摆幅较小、抗噪声能巩体棕力较弱；但是金热愚颈属-半导体接触可以低温形成，而且不仅可用Si，而且也笑寒连能采用GaAs材料来制造出性能捆设优良的晶体再员慨管。
但是，对于InP这种化合物半导体，由于其Schottky势垒高度较低，难以制作出性能良好的MESFET。一般，InP可以制作出热碑多MOSFET，而难以制作出MESFET；GaAs可以制作出MESFET，但难以制作出MOSFET（由于GaAs的表面态密度太大）。
a.在短沟道(0.5~2μm) GaAs-MESFET中, 速度饱和模型能较好地描述I-V特性(虽然饱和机理是由于谷间跃迁而引起的速度饱和，但与Si和SiC等的MESFET相同，都将产生偶极畴并使电流饱和)；
GaAs-MESFET具有优良的微波、高速、大功率和低噪音等性能。例如，对于栅长L=1μm、栅宽W=250μm的微波GaAs-MESFET的噪音，在C波段时为1 dB (相应的BJT为2 dB)，在Ku波段时为2.5~3 dB (相应的BJT为5 dB)。与微波硅BJT相比，GaAs-MESFET不仅工作频率高 (可达60GHz)、噪声低，而且饱和电平高、可靠性高等；这是由于与硅相比，n-GaAs外延材料的电子迁移率要大5倍、峰值漂移速度要大2倍，而且器件的衬底可用半绝缘GaAs（SI- GaAs ）以减小寄生电容。
此外，HEMT由于其栅极往往是Schottky势垒栅，故实际上也可以看成是一种性能特别优良的超高频、超高速的MESFET。 [1]
