等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）技术是一种在沉积腔室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法，其通过等离子体激活作用增强化学气相反应物质活性，提高表面反应速率，并通过高能离子显著降低了薄膜沉积温度。^[1] 在等离子体的作用下，气体在腔室中被解离，形成包含气体分子、高能离子、电子、活性自由基等粒子的强反应物质。在沉积表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应，沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下生长成膜。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。

等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；沉积速率快；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜，在半导体制造、太阳能电池、涂层技术、显示面板等领域都有着广泛的应用。